伴随着行业内各种政策的出台和落地，可以窥见未来电动汽车的充电设备都将采用统一的标准，无线智能充电站，太阳能充电站等一系列科技感十足的充电设备也离今天的生活越来越近。然而无论何种充电方式，充电桩的电源部分都是整个产品必不可少的核心模块之一，目前充电桩电源部分采用的MOSFET及肖特基二极管多采用Si材料制作，对于Si材料的MOSEFT提高其阻断电压，就必须牺牲产品的尺寸及损耗，因此电压范围1200~1800V的Si 材料MOSFET的尺寸和价格都会增加很多。针对这一问题，集化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的行业领先者Cree推出了多种SiC 器件。

1987年至今，Cree通过不懈的努力，完成了 SiC产品生产线的建立，现今市面上90%以上的SiC晶片都由其制造，相比于Si材料的MOSFET，SiC MOSFET 的阻断电压可以轻易的达到1000V~2000V，而其开关损耗、结电容值等开关特性仅仅相当于100V左右的Si MOSFET，导通电阻更是可以达到mΩ级别。以世强代理的C2M0160120D为例，该产品为1200V，19A SiC MOSFET，导通电阻160mΩ，与传统硅变换器相比可减少60% 的峰值功率损耗，并达到业界领先的96% 的效率，并且该产品采用TO-247-3 封装，较传统Si器件，其体积又减小了25%。

无独有偶，SiC肖特基二极管无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗并提高开关频率，堪称最快的高压肖特基二极管。世强代理的C3D16065D是一款650V SiC 肖特基二极管，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特点，可在更高频率下工作，与传统Si 器件相比，基本消除了二极管的开关损耗，且开关损耗不受温度影响，从而进一步提升了效率。